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RASTERELEKTRONEN-MIKRoSKOPIE

Oberflächenanalyse | Elementverteilung | Sputtern | Vakuum & Atmosphärendruck | Rückstreuung | EDX | WDX

Bei einem Rasterelektronen-Mikroskop wird die Oberfläche eines Werkstückes zeilenweise mit einem nur wenige Nanometer durchmessenden Elektronenstrahl abgetastet. So können winzige Details sichtbar gemacht werden. Mittels EDX- und WDX-Röntgenanalyse (energie- und wellenlängendispersive Röntgenanalyse) kann zudem die Elementverteilung bestimmt werden.

Die Messungen finden — je nach Material und Anforderung — im Vakuum (Mittel- bis Hochvakuum) oder bei Atmosphärendruck statt. Metallische Werkstoffe werden vor allem im Vakuum untersucht. Nicht-leitende Objekte können bei uns klassisch mit einer nur wenige Atomlagen starken Goldschicht bedampf werden (sputtern).

Seit Kurzem verfügt mpl für die Analyse von nichtleitenden Objekten, z. B. Keramiken, Kunststoffen, organischen Materialien, u.ä. ein ESEM -Mikroskop zur Verfügung, mit dem Messungen unter definiertem Atmosphärendurck und einer definierten Luftfeuchtigkeit möglich sind.

Die nebenstehende Galerie zeigt eininige Anwendungsfotos von Bruchanalysen, Oberflächenanalysen von Granit, Spektren und Aufnahmen mit Rückstreu­elektronen, durch die anschaulich die Element­verteilung in einem Werkstück gezeigt werden kann.